比U盘存储快1万倍的第三类存储技术  

出　　处：《科学24小时》2018年第6期31-31,共1页Science in 24 Hours

摘　　要：复旦大学微电子学院张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件,开创了第三类存储技术. 此次研发的第三代电荷存储技术,写入速度比目前U盘快1万倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期.这不仅可以极大降低高速内存的存储功耗,同时还可以实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输之间存在的矛盾.

关 键 词：存储技术 U盘 非易失性存储 内存技术 复旦大学 数据刷新 微电子 半导体 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]