3C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算  

First-principles Calculation on the Surface Electronic Structures and Optical Properties of 3C-SiC

作　　者：范梦慧 岑伟富 蔡勋明 廖杨芳 谢晶 谢泉 FAN Meng-hui;CEN Wei-fu;CAI Xun-ming;LIAO Yang-fang;XIE Jing;XIE Quart(College of Big Data and Information Engineering,Guizhou University,Guiyang 550025,China;School of Mechatronics Engineering,Guizhou Minzu University,Guiyang 550025,China)

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 [2]贵州民族大学机械电子工程学院,贵阳550025

出　　处：《人工晶体学报》2018年第7期1346-1352,共7页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(61264004);贵州省科技合作计划(黔科合LH字[2015]7218;[2017]7077);青年科技人才成长基金项目(黔教合KY字[2016]166);贵州省教育厅创新群体重大研究项目(黔教合KY字[2016]028;[2016]030)

摘　　要：采用第一性原理对3C-Si C块体和3C-Si C(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明:3C-Si C块体是带隙为1.44 e V的G-M间接带隙半导体,3C-Si C(111)表面是带隙为2.05 e V的M-G间接带隙半导体,3C-Si C(110)表面形成带隙值为0.87 e V的直接带隙半导体;3C-Si C(100)表面转变为导体。由光学性质分析得到,与3C-Si C块体比较,3C-Si C(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移。The electronic structures and optical properties of 3 C-SiC bulk,3 C-SiC（ 100）,（ 110） and（ 111） surfaces were studied by First-principles Method. The results show that 3 C-SiC bulk is an indirect band gap semiconductor with 1. 44 eV at G-M Brillouin zone,3 C-SiC（ 111） surface is an indirect band gap semiconductor with 2. 05 eV at M-G Brillouin zone,3 C-SiC（ 110） surface is a direct band gap semiconductor with 0. 87 eV,3 C-SiC（ 100） surface is turned to a conductor. The optical properties of3 C-SiC（ 100）,（ 110） and（ 111） surfaces were analyzed. Compared with 3 C-SiC bulk,the dielectric function,absorption spectrum,reflection spectrum,energy loss function for 3 C-SiC surface were red shift.

关 键 词：3C-SIC 表面 电子结构 光学性质 第一性原理 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]