InP单晶材料性能及制备方法  

The Material Property and Growing Method of InP Single Crystal

作　　者：张伟才[1] 韩焕鹏[1] 杨静[1] ZHANG Weicai;HAN Huanpeng;YANG Jing(The 46th Research Institute of CETC,Tianjin 30022)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《电子工业专用设备》2018年第4期36-41,共6页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等。通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨了各类生长方法的应用领域和今后发展方向。The property、 application and mainly growing method were introduced in this paper.Including liquid encapsulated Czochraski （LEC）、 Pressure control-LEC （VCZ/PC-LEC）、 Verticalgradient freeze （VGF）、 Vertical Bridgman（VB）. Advantages and disadvantages were indicated throughcomparing all of the growing methods and then the application and further development for all of thegrowing methods were discussed

关 键 词：InP单晶材料 液封直拉法 气压控制直拉法 垂直梯度凝固 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]