Ge_nGd(n=1～10)团簇结构稳定性与磁性研究  

作　　者：岳莉[1] 吴位巍[1] 张颂[1] 

机构地区：[1]凯里学院,贵州凯里556011

出　　处：《凯里学院学报》2018年第3期20-22,共3页Journal of Kaili University

基　　金：贵州省科学技术基金项目(编号:黔科合J字[2011]2114)

摘　　要：选择八偶极机制、自旋非限制性和有效核势DSPP,运用双数值极化基组,对Gd掺杂Ge基半导体团簇的结构稳定性和磁性进行了研究,结果表明:除Ge3Gd外,Ge_nGd(n=1~8)团簇的基态结构与具有相同原子数的纯锗团簇基态结构类似,但对称性有变化;Ge_nGd(n=1~10)团簇基态结构的平均束缚能随着原子总数N的增加而增大,说明Ge_nGd团簇结构稳定性随着原子总数N增加在加强;n=1,3时,能隙较大,n=2时,能隙较小,说明Ge Gd、Ge3Gd团簇的化学稳定性较好,而Ge2Gd团簇的化学活性较强;除Ge4Gd基态结构的磁矩为零,其余Ge_nGd(n=1~10)团簇基态结构的磁矩都在6μB以上,Gd原子的掺杂对纯锗团簇基态结构磁矩的改变较大.

关 键 词：基态结构 稳定性 磁性 

分 类 号：O641.1[理学—物理化学]