退火对ZrO2介质MIM电容器性能的影响  

作　　者：张秋香[1] 

机构地区：[1]上海建桥学院机电学院电子工程系

出　　处：《上海建桥学院学报》2018年第2期17-19,共3页Journal of Shanghai Jian Qiao University

摘　　要：文章对10nm和20nm两种厚度的ZrO2介质金属-绝缘体-金属（MIM）电容器在退火条件为420℃下（在N2/H2气氛中退火5min）前后的性能作了对比研究。结果表明，退火后电容密度增加，对于10nm和20nm两种厚度的电容器，电容密度分别增加了33％和31％，同时漏电流密度降低近一个数量级，这是因为退火能消除介质层中的氧缺陷和其他杂质，而使漏电流减小。

关 键 词：ZRO2薄膜 MIM电容 退火实验 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]