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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:王振[1] 王培[1] 陈爱 谢嘉凤 袁军[1] 袁素真[1]
出 处:《半导体光电》2018年第4期482-485,共4页Semiconductor Optoelectronics
基 金:国家自然科学基金项目(61604027);重庆市教委科学技术研究项目(KJ1600418);重庆市基础与前沿研究计划项目(cstc2016jcyjA0272;cstc2016jcyjA2063)
摘 要:基于三原色白光器件ITO/NPB/TCTA/Ir(MDQ)2(acac)∶TCTA/TCTA/FIrpic∶TmPyPb/Ir(ppy)3∶TmPyPb/TmPyPb/LiF/Al,通过在其绿色与蓝色发光层之间插入不同厚度的TmPyPb,研究了该插入层的厚度对器件色纯度的影响。研究表明,插入层厚度的改变能够影响能量转移及调节激子的分布,当插入层厚度为4nm时,器件色坐标为(0.33,0.36),最大发光效率达11.58cd/A。The effects of interlayer on color purity were studied by inserting different thickness of TmPyPb into the interface between blue and green emissions based on the structure of ITO/NPB/TCTA/Ir(MDQ)2(acac)∶TCTA/TCTA/FIrpic∶TmPyPb/Ir(ppy)3∶TmPyPb/TmPyPb/LiF/Al.The results show that the distribution of exciton and energy transfer can be adjusted and influenced by the thickness of interlayer. WOLED with peak efficiency of11.58 cd/A and CIE coordinates of(0.33,0.36)can be obtained when the thickness is 4 nm.
分 类 号:TN383.1[电子电信—物理电子学]
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