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作 者:Atsushi Yao Masaki Inoue Kouhei Tsukada Keisuke Fujisaki
机构地区:[1]日本丰田工业大学 [2]日立金属株式会社
出 处:《磁性元件与电源》2018年第9期149-152,共4页Components and Power
摘 要:本文重点研究了在高磁通密度区域采用高Bs纳米晶合金组装的叠层磁块(block)磁芯的磁芯损耗。为了讨论高Bs块体磁芯的软磁特性,还进行了与非晶(SA1)块体磁芯的比较。在高Bs块体磁芯中,低磁芯损耗和高饱和磁通密度Bs在低频区域部得到满足。此外,在由高Bs合金制成的叠层块体磁芯中,作为磁通密度的函数的磁损增加率保持很小,达到约1.6T,这在传统的基于非晶合金的叠层块体磁芯中是无法实现的。由高Bs合金制成的块体磁芯在高频区域表现出与非晶合金芯相当的磁损。因此,预期该叠层高Bs块体磁芯可以在高频区域中实现低磁芯损耗和高饱和磁通密度。
关 键 词:纳米晶合金 磁芯损耗 软磁特性 高BS 叠层 磁块 组装 饱和磁通密度
分 类 号:TN606[电子电信—电路与系统]
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