宽光谱窄带隙太阳电池微晶锗孵化层制备研究  

作　　者：曹丽冉[1] 张媛 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查天津中心,天津300304

出　　处：《科学技术创新》2018年第27期32-33,共2页Scientific and Technological Innovation

摘　　要：采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。

关 键 词：微晶锗 窄带隙 太阳电池 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]