一种可重构的无电感CMOS LNA设计  

A design of reconfigurable inductorless CMOS low-noise amplifier

在线阅读下载全文

作  者:王琳[1] 吴伟斌[2] WANG Lin;WU Wei-bin(Zhongshan Technical Secondary School,Zhongshan 528458,Gnangdong Province,China;School of Engineering,South China Agricultural University,Gnangzhon 510642,China)

机构地区:[1]中山市中等专业学校,广东中山528458 [2]华南农业大学工程学院,广州510642

出  处:《信息技术》2018年第11期1-4,共4页Information Technology

基  金:2015年度国家星火计划(2015GA780063);广东省省级科技计划项目(2014A070713032)

摘  要:文中设计了一种集成的可重构的CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA首先第一级采用电流复用并联反馈放大器,以实现宽输入匹配、低噪声系数和小面积的电路特性,其次第二级采用嵌有可调谐有源LC谐振器的共源共栅放大器结构,实现LNA的高增益和带宽的可持续调谐。基于0.13μm CMOS工艺对其进行仿真,版图后仿真结果表明:在1.5~2.5GHz的频段内,LNA的增益大于18dB,噪声系数小于2dB,回波损耗S_(11)和S_(22)分别低于-13dB和-15dB,三阶输入截止点IIP3达到-8.2dBm^-2.9dBm。并且电路在1.2V的电源电压下,所消耗的功耗为8.2mW。In this paper,a compact reconfigurable CMOS low-noise amplifier(LNA)is designed.The proposed LNA features first a current reuse shunt-feedback amplifier for wideband input matching,lownoise figure and small area.Secondly,a cascode amplifier with a tunable active LC resonator is added for high gain and continuous tuning of bands.Simulated in a 0.13μm CMOS process,the post-layout simulated results show〉18dB power gain,〈2dB noise figure in the frequency range of 1.5-2.5GHz,return losses S11and S22lower than-13 and-15dB,respectively.And the third-order input intercept point of the LNA is-8.2--2.9dBm.It consumes 8.2mW from a 1.2V supply voltage.

关 键 词:低噪声放大器 无电感 高增益 可持续调谐 

分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象