日本多华公司提供高功率短波红外发光二极管样品  

作　　者：工业和信息化部电子第一研究所 

出　　处：《新材料产业》2018年第10期83-83,共1页Advanced Materials Industry

摘　　要：日本东京多华电子材料有限公司成功开发出短波红外发光二极管芯片，输出功率比现有产品高3．5倍。该器件尺寸350μm^2,在室温下施加100mA的直流电流，最高输出功率为6．8mW，峰值波长为1300nm。

关 键 词：红外发光二极管 日本东京 短波 高功率 高输出功率 样品 电子材料 器件尺寸 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]