在45°取向切割的BaTiO_3晶体中获得的增强光折变效应  

作　　者：王大地[1] 朱镛[1] 杨华光[1] 张时明[1] 叶佩弦[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《量子电子学报》1992年第1期7-7,共1页Chinese Journal of Quantum Electronics

摘　　要：光折变晶体BaTiO₃由于其极大的增益系数是极有前景的应用材料之一。但目前采用的晶体都是垂直于光轴C正常切割（0°切割）,其原因是易于反复极化、抛光,以获得高质量的单畴晶体。然而理论分析证明,如果把晶体入射面按与C轴45°方向切割（45°切割）,可预期得到高至Γ=36cm^-1的指数增益系数。由于在这种切割的晶体中,光束只要垂直入射便可得最大耦合强度,因此克服了0°切割晶体掠入射造成的光斑畸变。

关 键 词：光折变效应 BaTiO₃晶体 切割晶体 中国科学院 光折变晶体 物理研究所 指数增益系数 扇效应 衍射效率测量 自泵浦 

分 类 号：TN201-55[电子电信—物理电子学]