VGF法Si-GaAs单晶生长过程中产生位错的因素  

作　　者：周铁军 廖彬 

机构地区：[1]广东先导先进材料股份有限公司,广东清远511517

出　　处：《科技风》2018年第35期223-224,共2页

摘　　要：阐述了现有VGF法Si-Ga As单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素。与掺入杂质Si浓度;熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的PBN坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体等晶体生长工艺参数的影响。

关 键 词：位错密度 砷化镓单晶生长 VGF生长法 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]