检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:王祥 沈怡然[1] 司德成 吴杰 WANG Xiang;SHEN Yiran;SI Decheng;WU Jie(School of Electronic Information,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou Zhejiang 310018,China)
机构地区:[1]杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018
出 处:《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》2018年第6期12-15,27,共5页Journal of Hangzhou Dianzi University:Natural Sciences
基 金:国家自然科学基金资助项目(61771176;61281230357);浙江省自然科学基金重点资助项目(LZ12F01001)
摘 要:忆阻器数字逻辑电路主要利用其二值特性和串并联结构实现各种逻辑运算。为了探索二值忆阻器的电路规律,研究了阈值型忆阻器模型的同极性顺序串联和反极性顺序串联电路,并进行仿真分析,获得了忆阻器顺序串联电路的基本规律,发现多个阈值型忆阻器无论以何种方式串联都等效为一个忆阻器。Memristor digital logic circuit mainly uses its binary characteristics and series-parallel structure to achieve a variety of logic operations.In order to explore the circuit law of binary memristor,the same polarity sequential series and reverse polarity sequential series circuits of threshold memristor model were studied.The memristor series circuit was simulated and the basic law of the memristor series circuit was obtained.It was proved that a plurality of threshold type memristor is equivalent to a memristor no matter which way they are connected in series.
分 类 号:TN401[电子电信—微电子学与固体电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.30