A Novel GaAs／InGaAs／AlGaAs Structure of Modulation—Doped Field—Effect Transistors with High Transconductances  

作　　者：常玉春 HailinLuo 等 

机构地区：[1]StatekeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronicsandCollegeofElectronicScience&Engineering,JilinUniveristy,Changchun130023 [2]DepartmentofPhysics,HongKongUniversityofScience&Technology

出　　处：《Chinese Physics Letters》2002年第4期588-590,共3页中国物理快报（英文版）

分 类 号：TN322.1[电子电信—物理电子学]