Double threshold behaviour of I—V characteristics of CoSi2／Si Schottky contacts  

作　　者：竺士炀 R.L.VanMeirhaeghe 等 

机构地区：[1]DepartmentofMicroelectronics,FudanUniversity,Shanghai200433,China [2]DepartmentofSolidStateSciences,GentUniversity,Krijgslaan281/S1,B-9000,Gent,Belgium

出　　处：《Chinese Physics B》2002年第2期156-162,共7页中国物理B（英文版）

分 类 号：TN311.8[电子电信—物理电子学]