不同化学配比钨酸铅晶体缺陷的研究  

Study of Defects on Different Chemical Combination PbWO_4 Crystal

作　　者：梁玲[1] 顾牡[1] 段勇[1] 马晓辉[1] 

机构地区：[1]同济大学玻耳固体物理研究所,上海200092

出　　处：《同济大学学报（自然科学版）》2002年第8期1026-1029,共4页Journal of Tongji University:Natural Science

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 19774 0 4 3);教育部高等学校骨干教师资助计划项目

摘　　要：利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的测试手段 ,对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究 ,结果表明丰W样品增加晶体中铅空位 (VPb)浓度 (物质的量比 )、而丰Pb样品则减少晶体中VPb浓度 .这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用 .并结合发射谱的测试 ,提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由VPb引起的WO3+O- .By the way of Positron annihilation lifetime and X-ray photoelectron spectra,the defects of PbWO 4 crystal was discussed,which is influenced by rich-W and rich-Pb.It is shown that the lead vacancy increases in the W-rich PbWO 4 crystal and decreases in the Pb-rich one.This conclusion would help select the temperature grads,growing speed and calefactive system to the growth of large size PbWO 4 crystal.From the results of emission,we propose that WO 3+O - produced by lead vacancy leads to the green luminescence in PbWO 4 crystal.

关 键 词：化学配比 晶体缺陷 钨酸铅晶体 发射光谱 正电子湮没寿命谱 X光电子能谱 发光性能 发光机理 

分 类 号：O77[理学—晶体学] O734