多孔二氧化硅陶瓷介电行为的机制研究  

作　　者：原玉 高占忠 张秋杰[1] 李廷帅[1] 李白海[1] 

机构地区：[1]电子科技大学,四川成都611731

出　　处：《电子制作》2015年第3Z期29-31,共3页Practical Electronics

基　　金：四川省青年基金资助项目(No.JS0303001)

摘　　要：本文通过对数学物理方法和电介质物理的结合,对影响二氧化硅的介电常数的四种极化机制和影响介电损耗的三种极化机理进行了温度分析,把多孔石英陶瓷看作是空气和石英陶瓷的混合物而建立了模型,通过带入了一些微观参数而得到介电性能与温度的变化关系,并与试验值取得了良好的一致性。

关 键 词：介电行为 石英陶瓷 电介质物理 高温 

分 类 号：TQ174.1[化学工程—陶瓷工业]