在Si中In的热退火现象的扰动角关联研究  

TDPAC STUDY ON ANNEALING BEHAVIOR OF In IN Si AFTER RECOIL IMPLANTATION

作　　者：李东宏[1] 李耀鑫[1] 朱升云[1] 

机构地区：[1]中国原子能科学研究院

出　　处：《原子能科学技术》1991年第3期30-33,共4页Atomic Energy Science and Technology

摘　　要：文章采用时间微分扰动角关联方法细致地研究了核反应反冲注入到Si中的In的热退火现象。反冲注入后约70%的In处在高密度辐射损伤晶格无序区,随退火温度升高,晶格无序区逐渐缩小,经600℃退火后消失。但是实验发现,经798℃退火后,只有55%的In原子位于无扰动晶格替代位置,尚有45%的In原子仍处于扰动位置。文中对可能的扰动原因进行了讨论。Si wafer (N-type, P-doped, 1kΩ.cm) is implanted with ^(111)In by nuclearreaction recoils. Thermal annealing behavior of In in Si is studied by the timedifferential perturbed angular correlation technique. It is found that after 798℃annealing 55% of the In atoms occupy substitutional lattice sites in Si with theremainder in perturbed sites.

关 键 词：硅 辐射损伤 扰动角关联 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]