α-铁纳米线阵列的磁矩分布  

作　　者：李发伸[1] 任立元[1] 牛紫平[1] 王海新[1] 王涛[1] 

机构地区：[1]兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州730000

出　　处：《中国科学（B辑）》2002年第5期420-424,共5页Science in China(Series B)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:19835050)

摘　　要：在多孔阳极氧化铝（AAO）模板中,采用电化学方法制备出α-铁纳米线阵列复合膜.用透射Mossbauer谱（MS）、内转换电子Mossbauer谱（CEMS）和微磁学模拟对直径为60nm的α-铁纳米线阵列进行了内部和端面磁矩分布的研究.透射 Mossbauer谱的结果表明,α-铁纳米线阵列内部磁矩很好地平行于纳米线长轴方向,而内转换电子Mossbauer谱观察表明,位于纳米线阵列端面,磁矩偏离纳米线的长轴方向分布,由二、五峰的强度计算出平均偏角为24.0°.另外,用微磁学模拟方法对不同深度的磁矩分布做了数值统计,结果表明,在纳米线内部磁矩严格地平行于纳米线轴,越趋近两端,平均磁矩与纳米线轴的夹角越大.磁性测量结果表明α-铁纳米线阵列宏观磁性表现出很强的磁各向异性.

关 键 词：α-铁纳米线阵列 Moessbauer谱 磁矩分布 微磁学模拟 垂直磁记录技术 磁矩取向 

分 类 号：TQ58[化学工程—精细化工]