薄膜型超导红外(光)探测器  

SUPERCONDUCTING THIN FILM INFRARED (LIGHT)DETECTOR

作　　者：万云[1] 平一梅[1] 姚久胜[2] 

机构地区：[1]西北大学物理系,西安710069 [2]中国科学院空间科学与应用研究中心,北京100080

出　　处：《光子学报》2002年第9期1138-1142,共5页Acta Photonica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (1 0 1 471 0 4);陕西省科学研究发展计划 (2 0 0 1K0 6-G1 8);陕西省自然科学基金 (2 0 0 1SL0 4)资助项目

摘　　要：在高TcGdBaCuO超导薄膜上 ,采用光刻技术分别制成两种不同结构的辐射、热测量器件及 2× 4集成阵列式微桥器件红外 (光 )探测器 探测器芯片安装在STD 3型红外探测器杜瓦冷指上 用黑体及波长为 0 .632 8μm的He Ne激光器辐照器件 ,系统观测各种器件的特性 ,其中最好的结果 :在 1 0Hz时的噪音等效功率NEP( 5 0 0 ,1 0 ,1 ) =3.6× 1 0 - 1 2 WH1 /2z ;探测率D ( 5 0 0 ,1 0 ,1 ) =1 .6× 1 0 1 0 cmHz1 /2 W- 1 ;响应率Rv=8.2× 1 0 3VW- 1 另外 ,多元串接微桥器件出现的多台阶式的特性 。Two different patterns of Bolometer and the 2×4 array microbridge device are designed and fabricated using ordinary photolithography with high Tc superconducting GdBaCuO thin film. Using the blackbody of 500K and He Ne laser, the properties of the devices are measured. The optimun results are as follows:NEP(500,10,1)=3.6×10WHz 1/2 ,D *(500,10,1)=1.6×10 10 cmHz 1/2 W -1 , Rv=8.2 ×10 3VW -1 .The steps characteristic of the series microbridge device will be applied in the infrared detectors in future.

关 键 词：超导薄膜 红外探测器 红外探测阵列 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]