飞秒激光超短双脉冲序列烧蚀增强现象  

作　　者：纪煦[1] 付宏鸽[1,2] 张莉英[1] 丁红军[1] 吕玉梅[1] 何健[1] 

机构地区：[1]北华航天工业学院机电工程学院,河北廊坊065000 [2]北京理工大学机械与车辆学院,北京100081

出　　处：《科技与创新》2017年第16期25-26,共2页Science and Technology & Innovation

基　　金：廊坊市科技计划项目(2017011016);北华航天工业学院博士启动基金项目(BKY-2015-01)

摘　　要：飞秒激光超短双脉冲序列与硅相互作用研究显示,相对于激光通量较低的单脉冲烧蚀硅材料,同等能量下的双脉冲烧蚀效率明显增加,这种现象在高通量时由于很强的等离子屏蔽效应,烧蚀效率增强趋势被抑制。建立原子模型分析可知,在脉冲序列延时超过1 ps时,增强是由熔融硅转换成金属特性所对应的吸收率改变导致;在脉冲延时小于1 ps时,增强是由第1个脉冲激发电子导致。

关 键 词：飞秒激光 超短双脉冲 脉冲延时 烧蚀深度 

分 类 号：TN249[电子电信—物理电子学]