非晶硅薄膜太阳能电池的p/i和i/n界面插入缓冲层对电池性能影响研究  

作　　者：李娟 冯国林 

机构地区：[1]宁夏师范学院物理与电子信息工程学院,宁夏固原756000

出　　处：《科技创新导报》2017年第25期73-74,共2页Science and Technology Innovation Herald

基　　金：宁夏师范学院校级科研项目(项目编号:NXSFYB17108);宁夏自然科学基金项目(项目编号:NZ15263)

摘　　要：本文建立基于pin型结构非晶硅薄膜太阳能电池,采用数值模拟的方法,通过模拟分析表明,在电池的p/i、i/n界面插入缓冲层可以得到电池转化效率为7.474%,比没有缓冲层电池提高0.305%。

关 键 词：非晶硅 缓冲层 转化效率 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]