ZnO、ZnO:Al及ZnO:(Al,N)纳米棒的制备工艺研究  

作　　者：何翔[1] 

机构地区：[1]江汉大学高分子材料与工程系,湖北武汉430056

出　　处：《化工管理》2017年第12期102-102,共1页Chemical Engineering Management

摘　　要：ZnO是Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,属六方纤锌矿结构。ZnO晶胞中,四配位的O^(2-)和Zn^(2+)组成的交替平面沿着c轴堆积,使得ZnO具有良好的压电特性和热电特性。ZnO的禁带宽度在室温下为3.37e V,适合作为短波长的光电器件材料。激子束缚能为60me V,可以实现室温下的激子受激发光。通过掺杂的ZnO薄膜既具有良好的导电性,在可见光区域又有很高的透射率,可以在太阳能电池中用作窗口材料和透明电极。尤其ZnO的纳米结构在制备光电子器件方面有很好的应用价值,且制备工艺简单,原料丰富无毒。因此ZnO是一种具有重要研究价值的材料。制备薄膜的方法有多种,常用的有溶胶—凝胶法、激光脉冲沉积法、水热法、化学气相沉积法和磁控溅射法等。其中基于溶液的溶胶—凝胶法、水热法的薄膜制备方法具有操作简单、不需要贵重仪器、价格优廉的优点^([1])。

关 键 词：ZNO纳米棒 水热法 制备工艺 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程] TN304.21[电子电信—物理电子学]