新型射频半导体电路优化建模技术研究  

作　　者：吴健 

机构地区：[1]南京恒电电子有限公司,南京210049

出　　处：《山东工业技术》2017年第24期121-121,共1页Journal of Shandong Industrial Technology

摘　　要：本文提出了一种新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的小信号等效电路结构,并提取了等效电路结构的元件参数值,并进行了模块的S参数模拟S参数模拟。最后,将模拟结果与测试数据的差异进行比较。分析了所产生的器件模型的误差,论证了内置小信号模型的良好性能。

关 键 词：小信号模型 电路结构 仿真 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]