绝缘栅双极晶体管(IGBT)原理介绍及在UPS方面应用  

作　　者：赵懿 

机构地区：[1]重庆广电集团(总台)

出　　处：《神州》2018年第7期208-209,共2页

摘　　要：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),也称为绝缘栅双极晶体管,是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,本文主要介绍了IGBT的结构特性、工作原理,最后对IGBT在UPS方面的实际应用进行了分析介绍。

关 键 词：“IGBT 绝缘栅双极晶体管” “MOSFET 金属-氧化层-半导体-场效晶体管” “GTR 电力晶体管” 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]