微波辐射对嗜铬胶质瘤细胞内游离钙浓度的影响  

作　　者：刘勇[1] 佟立波[1] 杨筱筠[1] 于斌[1] 张昭[1] 程绪浩[1] 付留杰[1] 

机构地区：[1]济南军区疾病预防控制中心,济南250014

出　　处：《解放军预防医学杂志》2017年第12期1573-1574,共2页Journal of Preventive Medicine of Chinese People's Liberation Army

基　　金：全军青年培育项目(No.14QNP033)

摘　　要：目的检测微波辐射后嗜铬胶质瘤细胞内游离钙离子浓度的变化,探讨微波急性辐射对小脑运动性学习记忆功能损伤的分子机理。方法采用激光共聚焦显微镜检测微波辐射前后神经细胞内游离钙离子的水平。结果对照组嗜铬胶质瘤细胞内游离钙的荧光值为(51±12),辐射后0 h组为(176±33)、3 h组为(92±21)、6 h组为(62±25)。结论微波辐射对嗜铬胶质瘤细胞内游离钙浓度有显著影响。

关 键 词：游离钙 嗜铬胶质瘤细胞 微波辐射 

分 类 号：R144.1[医药卫生—公共卫生与预防医学]