半熔工艺对太阳能多晶硅硬质点的影响  

作　　者：王江宏[1] 宗红梅 

机构地区：[1]陕西国防工业职业技术学院,西安710300 [2]西安华晶电子技术股份有限公司,西安710077

出　　处：《山东工业技术》2018年第17期30-30,共1页Journal of Shandong Industrial Technology

摘　　要：太阳能多晶硅硅片存在的局部缺陷会对太阳能多晶电池的效率产生影响。目前来说,太阳能行业铸锭普遍采用的是定向凝固多晶硅锭铸锭法。其中,硅锭的硬质点不管是对硅片切割过程还是电池片效率均有很大的负面影响。经过实验研究分析,首先将10cm厚的Si颗粒作为引晶核,在坩埚底部铺一层,然后再按照全熔装料的结构将料装好,在铸锭工艺的熔化阶段通过石英棒测试熔化底部颗粒的厚度来控制。通过此种半熔工艺主要控制中心区域未熔化,使底部硅液在过冷时快速形成晶核,保证边角及中心区域温度下降的一致性,从而保证底部多晶晶花均匀,减少位错,降低晶体缺陷。

关 键 词：半熔工艺 硬质点 铸造多晶硅 缺陷 

分 类 号：TQ127.2[化学工程—无机化工]