Hall测量中排除反常Hall效应影响的原理与方法  

作　　者：赵良兵 何雄[2] 孙志刚[2] 

机构地区：[1]华中师范大学第一附属中学,湖北武汉430223 [2]武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北武汉430070

出　　处：《科技创新导报》2018年第9期114-115,118,共3页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：本文通过分析Hall效应产生机制发现,对于磁性半导体或磁性掺杂半导体而言,测试获得的Hall电压中往往存在反常Hall效应的影响;通过对Hall测量系统误差分析及其消除方法的研究,本文发现在使磁性杂质达到饱和磁化的强磁场作用下,正常Hall电压与反常Hall电压之和与测量磁场之间是线性关系,因此,在一系列恒定强磁场下测出正、反向电流时的表观Hall电压,然后通过对表观Hall电压与磁场曲线的线性拟合得到斜率,确定正常Hall系数,最终排除了反常Hall效应的影响。本文研究有益于促进Hall测量在磁性半导体或磁性掺杂半导体中的更为广泛应用。

关 键 词：Hall效应 反常Hall效应 Hall测量 

分 类 号：TM12[电气工程—电工理论与新技术]