一种并发双频段CMOS LNA的分析与设计  

Analysis and design of a cocurrent dual-band CMOS low noise amplifier

作　　者：高丽娜[1] 庞建丽[1] Gao Lina;Pang Jianli(Huanghuai University,Zhumadian 463000,China)

机构地区：[1]黄淮学院,河南驻马店463000

出　　处：《电子技术应用》2018年第12期13-16,共4页Application of Electronic Technique

基　　金：河南省科技发展计划科技攻关项目(132102210441);河南省高校骨干教师资助计划项(2015GGJS-252);河南省教育厅省级教改项目(2017SJGLX456)

摘　　要：基于0.13μm CMOS工艺,设计了一种应用于WLAN IEEE 802.11 a/b/g标准的并发双频段低噪声放大器(LNA)。为了在功耗限制下同时实现噪声系数和输入阻抗的匹配,采用共源共栅电感退化拓扑结构。该LNA在2.4 GHz和5.2 GHz下,输入发射系数分别为-16.7 dB和-19.5 dB,正向增益分别为16.8 dB和17.2 dB。而且在2.4 GHz和5.2 GHz下,噪声系数分别取得了3.1 dB和3.2 dB,输入三阶截止点分别为-18.5 dBm和-16.5 dBm。该LNA在1.2 V电压供电下,所消耗的功耗为2.64 mW。A concurrent dual-band low noise amplifier(LNA)targeted for WLAN IEEE802.11a/b/g standards is designed using0.13μm CMOS process.To attain the power-constrained simultaneous noise figure and input matching,cascode inductive degeneration topology is adopted.The LNA achieves input reflection coefficients of-16.7dB and-19.5dB,forward gains of16.8dB and17.2dB at2.4GHz and5.2GHz,respectively.Furthermore,the LNA exhibits noise figures of3.1dB and3.2dB while input third-order intercept points of-18.5and-16.5dBm at2.4and5.2GHz,respectively.The LNA dissipates2.64mW of power from a1.2V supply.

关 键 词：双频段 低噪声放大器 低功耗 高增益 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]