碳纳米管、石墨烯场发射性能研究  

作　　者：宋萌 

机构地区：[1]郑州工程技术学院土木工程学院

出　　处：《电子世界》2018年第24期61-62,共2页Electronics World

基　　金：河南省高等学校重点科研项目计划(19B416006);中州大学科技创新团队建设计划项目(CXTD2017K4);郑州工程技术学院青年创新基金项目(QNCXJJ2018K6)

摘　　要：碳纳米管和石墨烯作为低维的碳纳米材料,具有很多优异的性质,被广泛应用于场发射显示器负极材料中。本文首先介绍了碳纳米管和石墨烯的结构、性能和制备方法,然后介绍了碳纳米管和石墨烯场发射性能的研究现状,包括国内外各种改善场发射性能的手段和方法,最后对场发射显示器的发展趋势作了展望。1.前言场致电子发射也被称为冷电子发射,是一个十分具有发展前景的研究领域。场致电子发射是近年来迅速发展的一种平板显示技术。在外加强电场的作用下,阴极材料的表面势垒会降低,根据量子隧穿效应,电子会穿透表面势垒发射到真空中,电子经过加速轰击阳极的荧光粉,从而实现发光。与当前常用的平板显示技术,如等离子体显示、液晶显示、发光二极管显示等相比较,场致电子发射显示具有功耗小、体积小、视角宽、无图像畸变、响应快速等优点。

关 键 词：场发射性能 碳纳米管 石墨烯 场致电子发射 场发射显示器 平板显示技术 发光二极管 量子隧穿效应 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学]