片式钽电容器漏电流可靠性研究  

作　　者：王敏[1] 

机构地区：[1]中国空空导弹研究院,河南洛阳471003

出　　处：《电子制作》2019年第1期71-73,共3页Practical Electronics

摘　　要：分析了片式钽电容器漏电失效模式,研究了片式钽电容器的漏电失效机理,分析表明阳极氧化膜疵点"晶化"是导致电容器产生漏电流的根本原因。以片式钽电容器漏电流产生的理论机理为基础,从工艺、筛选和使用可靠性角度,提出了一系列改进措施,以确保电容器在航天等高可靠领域的应用。

关 键 词：钽电容 漏电流 失效 晶化 可靠性 

分 类 号：TM53[电气工程—电器]