桥接T型二极管组探测器阵列设计与性能  

Design and performance of the Bridge T diode group detector array

作　　者：徐梦洁 文化锋[1] 王红华 武晴涛 Xu Mengjie;Wen Huafeng;Wang Honghua;Wu Qingtao

机构地区：[1]宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波315211

出　　处：《数据通信》2019年第1期5-10,共6页

基　　金：国家自然科学基金(No.61371061);浙江省自然科学基金(LY12F01010);宁波市自然科学基金(No.2016A610060)资助

摘　　要：文章在对桥接T型结构和行波阵列式特点分析的基础上,结合二极管组结构提出了一种桥接T型二极管组探测器阵列新结构。即通过并联相同两个级联的光电二极管,以此4个二极管构成一个并行二极管组。再将其嵌入到能使带宽增强?倍的桥接T型结构中,形成单个阵列单元。最后,根据行波阵列式结构,将阵列单元级联起来形成桥接T型二极管组探测器新结构。在EDA平台上,对该阵列单元模拟仿真,再与已有的行波光电探测器在功率合成、工作带宽、频率响应等方面对比分析。仿真结果表明,在应用相同二极管数目的条件下,且每个新阵列单元只多增加一个电容元件,阵列输出功率合成降低一半,工作带宽却提高?倍,响应速率提升3τ。降低的功率可通过级联新阵列单元进行功率进一步合成。研究结果表明,此阵列结构精简,不仅有效提高响应速度,更在在工作带宽、功率合成上都表现出了极高极好的性能。

关 键 词：光载无线通信 行波探测器阵列 功率合成 桥接T型 光电二极管 频率响应 

分 类 号：TN15[电子电信—物理电子学]