应变与ZnSe/ZnCdSe双势垒对电子隧穿的压力影响研究  

作　　者：钱岙轲 

机构地区：[1]浙江省衢州第二中学,浙江衢州324000

出　　处：《现代商贸工业》2019年第12期192-193,共2页Modern Business Trade Industry

摘　　要：运用求解任意势中波函数与转移矩阵相结合的方法,计算得到流体静压下应变ZnCdSe/ZnSe双势垒电子隧穿的共振能级、波函数和透射系数。考虑晶格常数、有效质量及体弹性模量等参量的压力效应对电子隧穿的影响。数值结果显示,与无静压比较,势垒的高度增加,则电子有效质量减小,导致共振峰向高能区移动,但峰值高度不变。此外,给出势阱有无静压的两种情形下的波形图,通过对比,可以进一步看出静压对ZnCdSe/ZnSe电子隧穿的影响。

关 键 词：电子隧穿 静压 双势垒 透射系数 电子波函数 

分 类 号：TB[一般工业技术]