双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究  

作　　者：牛旭 杜西亮[1] 

机构地区：[1]黑龙江大学,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《科学与信息化》2018年第24期197-197,共1页Technology and Information

摘　　要：本文通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究腐蚀电流密度与腐蚀时间两个制备因素对制备的多孔硅的微观结构的影响。本文在p+<100>硅片上通过30mA/cm2的腐蚀电流的条件完成腐蚀时间为10min、20min、30min、40min、50min的多孔硅的制备;在p+<100>和p<100>两种硅片上,腐蚀时间40min的条件下完成腐蚀电流密度为20mA/cm2、40mA/cm2、60mA/cm2、80mA/cm2的多孔硅制备。对所制备的多孔硅进行扫描电镜观察,观察其微观结构,然后根据所制备的多孔硅测量计算出各制备条件下多孔硅的孔隙率,结果表明,随着电流密度的增大,多孔硅的孔隙率逐渐增大,呈线性增加趋势;随着腐蚀时间的增长,多孔硅的孔隙率表现为先增大后减小的趋势[1]。

关 键 词：多孔硅 双槽电化学腐蚀法 孔隙率 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]