适用于固态甚低频发信机的大功率高速开关器件可行性研究  

作　　者：唐赛[1] 罗志清 邓珊 

机构地区：[1]湖南大学电气与信息工程学院,长沙410012 [2]中船重工集团公司第七二二研究所,武汉430079

出　　处：《现代通信技术》2019年第1期11-15,共5页

摘　　要：本文通过仿真建模与实验测试对10-kV碳化硅(Si 1 icon Carbide, SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(meta 1-ox ide-semi conduct or field effect transistors, MOSFET),绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors, IGBT)以及发射级可关断晶闸管(emitter turn-offthyristors, ETO)的器件损耗特性进行了对比,分别得出了导通损耗以及开关损耗关于电流密度的变换曲线,同时建立了固态甚低频发信机的损耗模型,通过二者的结合,我们比较了使用各种SiC器件搭建高频发信机的可行性。在同样的导通电流密度与125°C结温条件下,10-kV SiC MOSFET展现了最优秀的器件损耗特性,可作为搭建新型高频固态发信机最具有可行性的解决方案所选器件.

关 键 词：碳化硅功率器件 固态甚低频发信机 

分 类 号：TN929.5[电子电信—通信与信息系统]