二维异质结MoS2/WSe2能带排列的第一性原理研究  

Band offset in Two-dimensional MoS2/WSe2 Heterostructures form First-principle Calculations

作　　者：葛梅[1] 杨国晖[1] 张均锋[1] GE Mei;YANG Guo-hui;ZHANG Jun-feng(College of Physics and Information Engineering,Shanxi Normal University,Linfen 041000,Shanxi,China)

机构地区：[1]山西师范大学物理与信息工程学院

出　　处：《山西师范大学学报（自然科学版）》2019年第2期18-22,共5页Journal of Shanxi Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：山西省高等学校科技创新基金项目(201802070)

摘　　要：由于二维材料具有丰富的物理化学性质,比如在场效应管、薄膜电路等低微纳米器件上有巨大的潜在应用价值,从而吸引了研究者们的广泛关注和兴趣.本文中,我们采用第一性原理方法,对两种二维材料MoS2和WSe2组成的一种新形式的异质结进行能带排列方面的探索.首先,我们将两种材料堆叠成垂直方向,增大层间距,考察基本没有相互作用时的能带排列.然后,我们分别考察MoS2/MoS2-WSe2以及WSe2/WSe2-MoS2两种结构.结果发现,在组成异质结材料之后,层间的弱相互作用对两个组分材料的能带和态密度都有非常重要的影响.随着双层区域尺寸的增加,其价带顶和导带底都会有连续的变化,能带排列趋于安德森极限.此理论工作,将有助于人们理解各种类型的二维异质结能带排列情况,进而帮助理解低维器件的性能变化.Two-dimensional materials attracted many interesting because of the excellent physical and chemical properties,and the huge potential applications as field effect and super thin circuits.In this paper,we investigate the band offset in a two-dimensional MoS2/WSe2 heterostructures under a two-step method,by using the first-principle calculations.We found the weak interaction between the layers have the important impact on the band structure and density of states.With the increase of the bilayer length,the band offset will approach to Anderson limits.This work will help us to better understand the band offset and the performance in device designed by two dimensional heterostructures.

关 键 词：二维材料 异质结 能带排列 第一性原理计算 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理] O647.11[理学—电子物理学]