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作 者:徐家跃 申慧 金敏 张彦 田甜 陈媛芝 周鼎 储耀卿 XU Jia-yue;SHEN Hui;JIN Min;ZHANG Yan;TIAN Tian;CHEN Yuan-zhi;ZHOU Ding;CHU Yao-qing(Institute of Crystal Growth,School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology,Shanghai 201418,China)
机构地区:[1]上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所
出 处:《人工晶体学报》2019年第6期975-984,共10页Journal of Synthetic Crystals
摘 要:坩埚下降法是一种重要的晶体生长技术,成功用于生长闪烁晶体锗酸铋(Bi4Ge3O12)、声光晶体氧化碲(TeO2)、压电晶体四硼酸锂(Li2B4O7)以及新型弛豫铁电晶体等材料,并实现了产业化。坩埚下降法在层状结构晶体、异型晶体、高通量生长等新材料探索中也有巨大的潜力。本文主要介绍我们团队近年来在坩埚下降法生长硒化锡(SnSe)晶体、全无机铅卤基钙钛矿晶体、高温合金、硅酸铋晶体高通量筛选等方面的研究结果。The vertical Bridgman method is an important growth technique,which has been successfully applied to grow Bi4Ge3O12 scintillation crystal,TeO2 acousto-optical crystal,Li2B4O7 piezoelectric crystal and relaxor ferroelectric crystals.Those crystals have been achieved mass production in China.Compared with other growth techniques,the vertical Bridgman method shows great potential in growth of layer-structure crystals,heterotype crystals and high throughput screening.In this paper,we reported recent progress on Bridgman growth of some functional crystals in our lab.
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