界面调控二维六方氮化硼单晶外延生长取得新进展  

New progress of the epitaxy of two dimensional single-crystal hexagonal boron nitride by interface regulation

作　　者：吴克辉[1] Kehui Wu(State Key Laboratory of Surface Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室

出　　处：《科学通报》2019年第21期2163-2165,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：近年来,随着芯片内元器件尺寸的不断减小,短沟道效应、热效应等日趋明显,开发全新的二维量子材料体系以实现变革性的器件应用已成为当前的研究热点.高端器件的规模化应用必须基于大面积、高品质的单晶材料,因此二维单晶材料的制备研究具有重要的科学意义和技术价值.2019年5月22日,Nature在线发表了题为“Epitaxial growth of a 100-square-centimetre single-crystal hexagonalboron nitride monolayer on copper”啲文章,报道了北京大学物理学院刘开辉研究组及其合作者[1],利用表面中心反演对称性破缺的单晶铜衬底实现了分米级单晶六方氮化硼的外延制备.该项研究成果受到学术界和工业界的广泛关注.

关 键 词：单晶材料 六方氮化硼 外延生长 二维 调控 器件尺寸 器件应用 短沟道效应 

分 类 号：O78[理学—晶体学]