检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:田爱芬[1] 王茜茜 惠璇 孟庆辉 张新荣[2] TIAN Aifen;WANG Xixi;HUI Xuan;MENG Qinghui;ZHANG XinRong(College of Materials Science and Engineering,Xi’an University of Science and Technology,Xi’an710054,China;School of Construction Machinery,Chang’an University,Xi’an 710064,China)
机构地区:[1]西安科技大学材料科学与工程学院,陕西西安710054 [2]长安大学工程机械学院,陕西西安710064
出 处:《西安科技大学学报》2019年第4期708-712,共5页Journal of Xi’an University of Science and Technology
基 金:陕西省教育厅专项科学研究计划(16JK1511);陕西省高速公路施工机械重点实验室开放基金项目(300102259510)
摘 要:用传统高温固相法制备了锆钛酸钡BaZr0.2Ti0.8O3(BZT)掺杂的铌酸钾钠K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,研究了不同BZT掺杂量和烧结温度对KNN陶瓷微观结构、形貌和电学性能的影响。结果表明:从样品的X射线衍射图谱可以看出,全部样品均呈现出主晶相正交钙钛矿结构,但随着BZT掺杂量的增加,样品中的第二相的含量逐渐增多;从样品的形貌分析中可以看出,掺杂BZT的样品晶粒明显较大,且晶界清晰,其样品的平均晶粒尺寸随着BZT掺杂量的增加和烧结温度的升高有逐渐增大的趋势;对比不同掺杂量和不同烧结温度下制备的样品的综合性能,在1 150℃下烧结的BZT掺杂量为5%的陶瓷具有较好的形貌和优良的综合电学性能,即具有较为均匀的晶粒大小、清晰的晶界,最大的相对介电常数和较小的介电损耗,最大的压电系数。BaZr0.2Ti0.8O3(BZT)Doping K0.5Na0.5NbO3(KNN)lead-free piezoelectric ceramics were prepared by traditional high temperature solid phase method.The effects of BZT doping amount and sintering temperature on the phase structure,microscopic morphology and electrical properties of KNN ceramics were investigated.The results show that all ceramics show the major crystalline phase of orthorhombic perovskite structure.The proportion of second phase increases with the increase of BZT doping amount.BZT doping samples exhibit large grain and clear grain boundaries.The even grain size is increasing with BZT doping amount and sintering temperature increasing.A comparative study of the comprehensive properties of the samples prepared with different doping contents and sintering temperatures reveals that the ceramic of BZT doping with 5 mol% sintered at 1 150 ℃ possesses the best possible shapes and electrical properties:more uniform grain size,the largest relative dielectric constant and the smaller dielectric loss,as well as the largest piezoelectric coefficient.
关 键 词:无铅压电陶瓷 陶瓷结构 电学性能 掺杂量 平均晶粒尺寸 烧结温度 形貌分析 相对介电常数
分 类 号:TM282[一般工业技术—材料科学与工程]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:18.116.42.143