纳流体忆阻器在神经网络应用中电学测试  

作　　者：李昕泽[1] 

机构地区：[1]92941部队

出　　处：《电子技术与软件工程》2019年第19期224-225,共2页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文首先仿照电化学领域的方法搭建测试平台,使用传统测试忆阻器的方法对纳流体忆阻器进行电学测试,获得I-V特性曲线,脉冲响应曲线和器件保持特性曲线。然后使用荧光显微镜和电学测试设备搭建一套基于时间关系的电学驱动荧光显微平台,通过实时监测荧光在纳米沟道中的变化,验证了纳流体忆阻器界面移动的推测。

关 键 词：纳流体忆阻器 神经网络应用 测试 

分 类 号：TP183[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程] TN60[自动化与计算机技术—控制科学与工程]