碲锌镉晶片研抛加工表面层损伤的研究  

Study on the Surface Layer Damage of CZT Wafer Induced by Lapping and Polishing

作　　者：张文斌 郭俊伟 葛劢翀 Zhang Wenbin;Guo Junwei;Ge Maichong(The 45th Research Institute of CETC ,Beijing 100176,China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十五研究所

出　　处：《电子工业专用设备》2019年第5期26-28,47,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：介绍了碲锌镉晶片背面研抛机的工艺过程和原理,研究了研抛工艺中砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速对晶片表面层损伤深度的影响。In this paper,the process and principle of the CZT wafer lapping and polishing machine are introduced,the effect of the lapping and polishing wheel type,the wheel infeed rate,the wheel rotation speed and the chuck rotation speed on the wafer surface layer damage are studied.

关 键 词：碲锌镉 研抛 表面层损伤 

分 类 号：TN948.43[电子电信—信号与信息处理]