Arm-Chair型SWCNT结构、电子特性及B掺杂对其的影响  

作　　者：刘乃生[1] 苑龙军 

机构地区：[1]潍坊学院,山东潍坊261061 [2]山东工业技师学院,山东潍坊261053

出　　处：《潍坊学院学报》2019年第2期6-8,共3页Journal of Weifang University

摘　　要：采用密度泛函理论(DFT)和局域密度近似(LDA)方法,通过构型优化得到硼原子掺杂前后的单壁碳纳米管SWCNT(4、4)稳态几何构型、能量、能带和态密度.并通过比较发现替代前后SWCNT在沿着c轴的方向键长增加;B原子取代使Fermi面附近SWCNT的价带和导带出现分裂;系统替代前后均具有金属性.

关 键 词：碳纳米管 硼掺杂 电子结构 密度泛函理论 

分 类 号：O485[理学—固体物理]