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机构地区:[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海200083 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083
出 处:《Journal of Semiconductors》1992年第2期84-89,共6页半导体学报(英文版)
基 金:中国国家自然科学基金
摘 要:采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.The photoluminescence of Cd_(1-x)Mn_xTe single Crystals for x- 0.25, 0.40 and0.60 is investigated under different pressures at 77K.Two different recombinationradiations are fouud in Cd_(1-x)Mn_xTe (x≤0.4) and Cd_(1-x)Mn_xTe (x=0.6), respecti-vely. According to the position and pressure coefficient of PL band,the PL peaksof Cd_(0.75)Mn_(0.25) Te and Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te are attributed to the band-to-band radiative reco-mbination, but the PL band of Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te is ascribed to the radiative recombinationof Mn^(2+) 3d↓ energy levels to hybrid valence band.
分 类 号:TN304.7[电子电信—物理电子学]
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