AlGaAs混晶中Te施主能级  

Donor Levels in Te-Doped AlGaAs

作　　者：康俊勇[1] 黄启圣[1] 林虹[1] 陈朝[1] 唐文国 李自元 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门361005 [2]红外物理国家实验室,上海200083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1992年第6期327-332,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;红外物理国家实验室资助

摘　　要：用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结果表明,Te杂质形成包括多个施主能级的复杂能级结构.本文对实验结果作了讨论.Impurity levels in Te-doped Al_xGa_(1-x) As for the composition range of x=0.23-0.77have been studied by photoluminescence and Deep Level Transient Spectroscopy under darkand illumination conditions. The results show that a complicated level structure consisting ofseveral donor levels is formed by substitutional Te impurity. A discussion on the results isgiven.

关 键 词：AlCaAs混晶 杂质 施主能级 TE 

分 类 号：TN304.01[电子电信—物理电子学]