GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗计算  

The Short Circuit Power Consumption Calculation of the Dead Zone by Using GTR Self-Protect Drive-Circuit

作　　者：甘正佳[1] 张颖[1] 成新明[2] 

机构地区：[1]长沙电力学院现代教育技术中心,湖南长沙410077 [2]中南大学,湖南长沙410075

出　　处：《测控技术》2002年第11期66-68,共3页Measurement & Control Technology

摘　　要：GTR大都采用自保护驱动电路 ,但采用这种电路存在一个保护死区 ,在保护死区内短路功耗的大小决定了自保护驱动电路能否可靠地对GTR进行保护。本文提出了GTR短路时的数学模型 ,并应用这一模型对GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗进行了计算。In general,the GTR drive circuit is used self protect circuit which exists a protection dead zone.The power consumption in the dead zone determines whether circuit can protect GTR successfully or not.The mathematical model which is used to calculate the dead zone power consumption when GTR is on short circuit is provided.

关 键 词：GTR 自保护驱动电路 保护死区 短路功耗 计算 第二代功率半导体器件 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]