宽长比对CMOS反相器延迟时间影响的分析  

Analysis of the delay time of CMOS inverter by width to length ratio

作　　者：张照锋[1] 董海青[1] Zhang Zhaofeng;Dong Haiqing(Nanjing Vocational College of Information Technology,Nanjing Jiangsu,210023)

机构地区：[1]南京信息职业技术学院

出　　处：《电子测试》2019年第17期46-47,共2页Electronic Test

基　　金：南京信息职业技术学院开放基金“高速CMOS sigma-delta ADC集成电路研究与设计(KF20160101)”资助

摘　　要：延迟时间是集成电路中的重要参数,特别是在高速高频集成电路中,本文主要研究CMOS器件宽长比对基本单元反相器传输延迟时间的影响,通过改变MOS晶体管的宽长比,来分析MOS晶体管沟道宽度对延迟时间的具体影响,从而为后续高速集成电路基本单元的设计打下基础。Delay time is an important parameter in integrated circuits,especially in high speed and high frequency integrated circuits.This paper mainly studies the influence of CMOS device widthlength ratio on the transmission delay time of basic cell inverter.By changing the width-length ratio of MOS transistors,the specific influence of MOS transistor channel width on delay time is analyzed,so as to lay a foundation for the subsequent design of basic elements of high speed integrated circuits.

关 键 词：宽长比 反相器 延迟时间 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]