王秩伟:深耕前沿量子拓扑材料  

作　　者：王霞 

机构地区：[1]不详

出　　处：《时代人物》2019年第12期11-11,共1页Times Figure

摘　　要：在前沿研究中,谁掌握了材料谁就掌握了未来。记者获悉,北京理工大学物理学院特别研究员、博士生导师王秩伟在拓扑材料性能调控和新材料探索方面进行了长期的研究。最近他们发现体绝缘拓扑绝缘体材料巨大的负磁阻现象:通过调控材料中电子与空穴之间的电荷相互补偿,在三元铊系拓扑绝缘体中实现了体绝缘特性,并进一步发现该材料的巨负磁阻现象,这是第一次在拓扑绝缘体材料中发现巨大的负磁阻现象。该成果发表在《Nature Communications》上。

关 键 词：拓扑绝缘体 磁阻 北京理工大学 量子拓扑 相互补偿 拓扑材料 前沿研究 性能调控 

分 类 号：O44[理学—电磁学]