使用对比法研究硅光电池的特性  被引量:5

Study on the characteristics of silicon photocells by using contrast method

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作  者:谢宁[1] 张毅[2] 明成国 安力群[1] 焦永芳[1] 谭明[1] XIE Ning;ZHANG Yi;MING Cheng-guo;AN Li-qun;JIAO Yong-fang;TAN Ming(School of Science,Tianjin University of Science and Technology,Tianjin 300222,China;School of Science,Tianjin Polytechnic University,Tianjin 300387,China)

机构地区:[1]天津科技大学理学院,天津300222 [2]天津工业大学理学院,天津300387

出  处:《实验室科学》2019年第4期50-52,共3页Laboratory Science

基  金:国家自然科学基金面上项目(项目编号:61474082);天津科技大学青年教师创新基金(项目编号:2014JXD04)

摘  要:通过对两种不同面积硅光电池的测量,再加以运用Origin数据处理软件,对比分析了硅光电池暗态正向偏压的I-U特性、光照下的伏安特性,开路电压、短路电流以及光功率与光照强度的关系,并据此得出:短路电流与光照强度成呈线性增加,开路电压与光照强度呈非线性增加,且面积较大的硅光电池增速更快;在相同光照强度下,大面积硅光电池的短路电流、开路电压数值较大;光功率随光照强度的增速与硅光电池面积基本成正比。By measuring the two kinds of silicon photocells,and then use the Origin software to compare the I-U curves of silicon photocells at forward bias voltages,volt-ampere characteristics,the relationships between open circuit voltage,short circuit current,light power and light intensity,and then educes:The short circuit current and the light intensity increased linearly,the open circuit voltage and the light intensity showed a nonlinear increase,and the larger area of silicon photocells growth faster;under the same light intensity,large area silicon photocells short circuit current,open circuit voltage value are bigger;light power with the growth of the intensity of the light and silicon area is proportional to the basic.

关 键 词:对比法 硅光电池 开路电压 短路电流 光功率 

分 类 号:TM914[电气工程—电力电子与电力传动]

 

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