电源参数对含有铜钴氧化铝膜层的催化性能影响的研究  

作　　者：李琼 张净 万慧 李旭勇 彭东强 

机构地区：[1]航空工业江西洪都航空工业集团有限责任公司

出　　处：《中国金属通报》2019年第8期115-116,共2页China Metal Bulletin

摘　　要：用微弧氧化技术在铝基体上一步制备含过渡金属元素活性组分的氧化膜已经证明具有可行性,且含Cu和Co活性组分的膜层催化活性最好;利用723分光光度计对含有铜钴活性组分膜层进行分析研究。膜层的催化活性随电压的增大而增加,当电压为490V时,催化率为95%,而电压为400V时,催化率却仅仅为37%左右,电压对试验指标有高度显著影响;随占空比的不断增加,溶液浓度转化率呈先增大后减小的趋势,占空比为17%时,其催化率可以达到95%。占空比为3%时,其催化率为65%左右,占空比对试验指标影响一般显著。

关 键 词：微弧氧化 铝基体 活性组分膜层 催化活性 

分 类 号：O643.36[理学—物理化学]