洛克希德马丁Q-53雷达选择Qorvo的碳化硅基氮化镓技术  

出　　处：《半导体信息》2019年第5期9-9,共1页Semiconductor Information

摘　　要：Qorvo日前宣布洛克希德·马丁公司选择其氮化镓(GaN)技术功率放大器,作为美国陆军Q-53雷达系统的GaN模块。将GaN技术引入多任务的移动雷达应用中,将比目前系统中广泛使用的砷化镓(GaAs)放大器实现更高的效率,功率密度,可靠性和生命周期总成本。Qorvo利用碳化硅(SiC)基GaN开发了S波段MMIC高功率放大器(HPA),与前一代GaAs材料相比,GaN HPA的饱和输出功率提高了两倍以上,功率附加效率(PAE)提高了15个百分点。这些功能可以更好地支持Q-53相控阵雷达所需的功能,例如远程反击。该放大器的紧凑尺寸和卓越的性能支持各种具有挑战性的工作条件,此外GaNon-SiC技术还具有提高系统可靠性和降低生命周期总拥有成本等额外好处。

关 键 词：功率放大器 相控阵雷达 饱和输出功率 射频系统 洛克希德马丁 雷达系统 生命周期 功率密度 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]